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半導體設備耗材碳化硅晶圓研磨量產技術
高速、高精度研磨加工備受關注的新一代半導體底板材料——碳化硅（SiC）晶圓的技術。
該技術采用了產業技術綜合研究所（產總研）公開的技術。其特點是采用了不向碳化硅結晶施加多余壓力的研磨加工，能夠降低加工變形并提高晶圓面精度。表面光潔度為0.1nm，達到了外延膜生長所需的Ra值（0.3nm）以下；而且能夠通過縮短研磨時間提高量產效率，有望成為備受期待的新一代半導體底板—— 碳化硅晶圓的實用化技術。除碳化硅外，還可用于加工市場正在快速擴大的白色LED底板材料藍寶石、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）結晶等。
碳化硅與目前半導體底板材料的主流——硅（Si）相比，具有耐高電壓、耐高溫、電力損失小的優點，有望應用于發電及輸電等電力設備、通信系統和工廠的電源裝置、電車和汽車的驅動裝置等需要控制高電壓高電流的裝置。但是，由于碳化硅硬度較高，難以進行研磨加工，其量產技術過去一直是大問題。
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