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3月12日,總投資130億元的8個環電子科大集成電路重點項目在四川成都高新區集中開工,IC設計產業總部基地啟動建設,據官方表示,該項目總投資約13.14億元,計劃于2022年12月完工,將以構建IC設計產業生態圈為戰略,聚焦5G、微波、物聯網、功率半導體、MEMS、IP、人工智能等特色領域,將聯動電子科大,協同周邊封測、制造等配套產業,構建中國西部“創芯谷”,成為IC產業“示范區”。
可見,在物聯網信息技術時代,擁有集成電路完整產業供應鏈以及具有特色的核心技術,將是未來各省市地區發展經濟和提升競爭力的關鍵點。第三代半導體漸成市場焦點廠商緊抱SiC這塊“蛋糕”Z近,第三代寬禁帶半導體的碳化硅SiC被提及的比較多,各大廠家也都在積極進行碳化硅產品的布局。晶圓設備零部件
功率半導體器件Z為功率變換系統的核心器件,適用于高壓低損耗的第三代寬禁帶半導體的SiC器件未來可期。
目前全球95%以上的半導體元件,都是以一代半導體材料硅作為基礎功能材料,主要應用在資訊與微電子產業,不過,隨著電動車、5G等新應用興起,推升高頻率、高功率元件需求成長,矽基半導體受限硅材料的物理性質,在性能上有不易突破的瓶頸,也讓廠商開始爭相投入化合物半導體領域。
相較于氮化鎵,碳化硅更耐高溫、耐高壓,較適合應用于嚴苛的環境,應用層面廣泛,如風電、鐵路等大型交通工具,及太陽能逆變器、不斷電系統、智慧電網、電源供應器等高功率應用領域。