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3月12日，總投資130億元的8個環電子科大集成電路重點項目在四川成都高新區集中開工，IC設計產業總部基地啟動建設，據官方表示，該項目總投資約13.14億元，計劃于2022年12月完工，將以構建IC設計產業生態圈為戰略，聚焦5G、微波、物聯網、功率半導體、MEMS、IP、人工智能等特色領域，將聯動電子科大，協同周邊封測、制造等配套產業，構建中國西部“創芯谷”，成為IC產業“示范區”。
可見，在物聯網信息技術時代，擁有集成電路完整產業供應鏈以及具有特色的核心技術，將是未來各省市地區發展經濟和提升競爭力的關鍵點。第三代半導體漸成市場焦點廠商緊抱SiC這塊“蛋糕”Z近，第三代寬禁帶半導體的碳化硅SiC被提及的比較多，各大廠家也都在積極進行碳化硅產品的布局。晶圓設備零部件
功率半導體器件Z為功率變換系統的核心器件，適用于高壓低損耗的第三代寬禁帶半導體的SiC器件未來可期。
目前全球95%以上的半導體元件，都是以一代半導體材料硅作為基礎功能材料，主要應用在資訊與微電子產業，不過，隨著電動車、5G等新應用興起，推升高頻率、高功率元件需求成長，矽基半導體受限硅材料的物理性質，在性能上有不易突破的瓶頸，也讓廠商開始爭相投入化合物半導體領域。
相較于氮化鎵，碳化硅更耐高溫、耐高壓，較適合應用于嚴苛的環境，應用層面廣泛，如風電、鐵路等大型交通工具，及太陽能逆變器、不斷電系統、智慧電網、電源供應器等高功率應用領域。
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